Görsel mevcut değil
RGT30NL65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
- Ürün Ailesi
- RGT30NL65DG
RGT30NL65DGTL Hakkında
RGT30NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli kollektör akımı ve 45A pulslu akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 133W maksimum güç yönetim yeteneğine sahiptir. 18ns açılış ve 64ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. 55ns reverse recovery time ve 32nC gate charge değerleriyle, güç dönüştürücü uygulamalarında, şarj kontrolörleri, motor sürücüleri ve inverter devrelerde kullanılmaya uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
133 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
