Görsel mevcut değil
RGT20TM65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT20TM65DGC9 Hakkında
RGT20TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 10A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.1V düşük Vce(on) değeri ve 22nC kapı yükü ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 25W güç yönetimi kapasitesine sahip olup, 12ns açılış ve 32ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu IGBT, invertörler, konvertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
22 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-220NFM
Td (on/off) @ 25°C
12ns/32ns
Test Condition
400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V