Görsel mevcut değil
RGT20NL65GTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT20NL65GTL Hakkında
RGT20NL65GTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 10A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20A maksimum kolektör akımı ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 2.1V maksimum doyum gerilimi (VCE(on)) ile enerji kaybı minimize edilir. 22nC kapı yükü ve 12ns/32ns sırasıyla turn-on/turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji çevirici devreleri ve indüktif yük uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
22 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
106 W
Supplier Device Package
TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C
12ns/32ns
Test Condition
400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V