Görsel mevcut değil
RGT16TM65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT16TM65DGC9 Hakkında
RGT16TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Field Stop Trench IGBT transistördür. 650V kolektör-emiter açılış gerilimi ve maksimum 9A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Pulslu koşullarda 24A'e kadar akım taşıyabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevleri için kullanılır. 42ns ters kurtarma süresi ve 21nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 22W gücü yönetebilir. Motor kontrolü, invertör, DC-DC dönüştürücü ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
22 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-220NFM
Td (on/off) @ 25°C
13ns/33ns
Test Condition
400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V