Görsel mevcut değil
RGT16NS65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 650V 16A 94W TO-263S
RGT16NS65DGTL Hakkında
RGT16NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/16A IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 94W güç tüketimi ile çalışabilir. TO-263S (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V on-state voltajı ve 21nC gate charge değerleri ile düşük kayıp anahtarlamayı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. Not For New Designs statüsüne sahip olan bu parça, mevcut tasarımlar için stok amaçlı kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
94 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
13ns/33ns
Test Condition
400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V