Görsel mevcut değil
RGT16NS65DGC9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGT16NS65DGC9 Hakkında
RGT16NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 16A maksimum kollektör akımı ve 24A impulsif akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 400V/8A test koşullarında 2.1V açık durum gerilimi ve 13ns/33ns açılış/kapanış gecikmesi ile verimli komütasyon özelliği sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun olup, 94W maksimum güç seviyesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
94 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-262
Td (on/off) @ 25°C
13ns/33ns
Test Condition
400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V