Görsel mevcut değil
RGT16NL65DGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- FIELD STOP TRENCH IGBT
- Ürün Ailesi
- RGT16NL65DGTL
RGT16NL65DGTL Hakkında
RGT16NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 16A sabit akım ve 24A pulse akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263 D²Pak yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 21 nC gate charge ve 13ns açılış/33ns kapanış süresi ile hızlı komütasyon performansı gösterir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel invertör, motor kontrol, kaynak ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Maksimum 94W güç tüketimine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
94 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
13ns/33ns
Test Condition
400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
