Görsel mevcut değil
RGT16BM65DTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT
RGT16BM65DTL Hakkında
RGT16BM65DTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 16A DC ve 24A puls collector akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400V/8A test koşullarında 2.1V Vce(on) değeriyle çalışır. -40°C ile +175°C arasında güvenilir operasyon sağlar. 21nC gate charge ve 13ns açılış/33ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 42ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları elde edilir. Güç elektroniği uygulamalarında, motor sürücüleri, değiştirici devreleri ve UPS sistemlerinde kullanıma uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
94 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-252
Td (on/off) @ 25°C
13ns/33ns
Test Condition
400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V