Görsel mevcut değil
RGT00TS65DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
RGT00TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGT00TS65DGC13, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 85A maksimum kolektör akımı ve 277W güç yönetim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 5µs kısa devre toleransı sayesinde güvenli anahtarlama özellikleri sunar. TO-247-3 kasa türü ile Through Hole montajı destekler. -40°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 650V breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama hızı (Td on/off) 42ns/137ns olup, fotovoltaik, endüstriyel motor kontrolleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. VCE(on) değeri 15V gate geriliminde 50A'de 2.1V'tur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
94 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
277 W
Reverse Recovery Time (trr)
54 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Td (on/off) @ 25°C
42ns/137ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V