Görsel mevcut değil
RGSX5TS65HRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
RGSX5TS65HRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGSX5TS65HRC11, 650V breakdown voltajına sahip tek bir Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. Maksimum 114A kollektor akımı ve 225A pulslu kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 404W güç yönetebilir. 79nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup, on/off geçiş zamanları sırasıyla 43ns/113ns'dir. 8 seri kısa devre toleransı ve 2.15V (15V gate voltajında, 75A akımda) Vce(on) değeri ile endüstriyel invertör, motor sürücü ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
114 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
404 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
43ns/113ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V