Görsel mevcut değil
RGSX5TS65EHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
RGSX5TS65EHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGSX5TS65EHRC11, 650V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 114A sürekli kolektör akımı ve 225A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8 saniyelik kısa devre toleransı sayesinde güvenli çalışma sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 400V/75A test koşullarında 2.15V Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında güvenilir performans sunan bu IGBT, inverter, motor sürücü, kaynak makinesi ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
114 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
404 W
Reverse Recovery Time (trr)
116 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
43ns/113ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V