Görsel mevcut değil
RGSX5TS65EGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
RGSX5TS65EGC11 Hakkında
RGSX5TS65EGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/114A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paket ile sunulan bu bileşen, kısa devre toleransı (8S) özelliğine sahiptir. Maksimum 404W güç yönetimi kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü ve UPS sistemlerinde kullanılır. 79nC gate charge ve 116ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
114 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
404 W
Reverse Recovery Time (trr)
116 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3.44mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
43ns/113ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V