RGSX5TS65DHRC11

Üretici: ROHM Semiconductor
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V

RGSX5TS65DHRC11 Hakkında

RGSX5TS65DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maximum 114A DC collector akımı ve 225A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 8-saat kısa devre toleransı ile korunur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve uninterruptible power supply (UPS) sistemlerinde kullanılır. 650V breakdown voltajı ile orta-yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Düşük switching loss (on: 3.32mJ, off: 1.9mJ) ve hızlı dönüş süreleri (trr: 114ns) ile verimli enerji yönetimi sağlar.

Ürün Özellikleri

17 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 114 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 225 A

Gate Charge 79 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 404 W

Reverse Recovery Time (trr) 114 ns

Supplier Device Package TO-247N

Switching Energy 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 43ns/113ns

Test Condition 400V, 75A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V