Görsel mevcut değil
RGS80TSX2HRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGS80TSX2HRC11 Hakkında
RGS80TSX2HRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V 80A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 40A kolektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerinde, invertör, motor kontrol ve elektrik tesisat sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ve 3mJ açılış/kapatılış enerjisi sayesinde verimli çalışma sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu IGBT, 1200V kırılma voltajı ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
555 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3mJ (on), 3.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/199ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V