Görsel mevcut değil
RGS80TSX2GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
RGS80TSX2GC11 Hakkında
RGS80TSX2GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/80A Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10µs kısa devre toleransı ve 555W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 104nC gate charge ve düşük switching energy karakteristiğiyle (3mJ on, 3.1mJ off) yüksek frekanslı güç elektronik uygulamalarında verimli çalışır. 2.1V Vce(on) değeri ile enerji kayıpları minimize edilir. -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, inverter ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 49ns açılış ve 199ns kapanış gecikmesi hızlı komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
555 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3mJ (on), 3.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/199ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V