Görsel mevcut değil
RGS80TSX2DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGS80TSX2DHRC11 Hakkında
RGS80TSX2DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V 80A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 555W güç kapasitesine sahip olan transistör, 40A nominal akımda 2.1V Vce(on) değerine ve 198ns ters kurtarma süresine sahiptir. İşletme sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Düşük anahtarlama enerjileri (açma 3mJ, kapama 3.1mJ) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Güç kaynakları, motor kontrol sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
555 W
Reverse Recovery Time (trr)
198 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3mJ (on), 3.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/199ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V