Görsel mevcut değil
RGS80TSX2DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
RGS80TSX2DGC11 Hakkında
RGS80TSX2DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A kollektor akımı ve 555W maksimum güç yönetim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10µs kısa devre toleransı ile korumalıdır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Hızlı anahtarlama özellikleri (49ns açılış, 199ns kapanış) ve 104nC gate yüküyle motor kontrolü, UPS sistemleri, şarj cihazları ve switched mode power supply (SMPS) uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
104 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
555 W
Reverse Recovery Time (trr)
198 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
3mJ (on), 3.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
49ns/199ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V