Görsel mevcut değil
RGS60TS65HRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
RGS60TS65HRC11 Hakkında
RGS60TS65HRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 pakette sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 36 nC gate charge ve düşük switching energy değerleri (on: 660µJ, off: 810µJ) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. 223W maksimum güç yönetimi kapabiliyeti ile endüstriyel konvertörler, motor kontrol sistemleri, kaynak makineleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
56 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
36 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
223 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
660µJ (on), 810µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/104ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V