Görsel mevcut değil
RGS60TS65DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
RGS60TS65DHRC11 Hakkında
RGS60TS65DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Maksimum 56A sürekli kolektör akımı ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 36nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 30A akımda 2.1V'tur. 660µJ (on) ve 810µJ (off) anahtarlama enerjileri ile verimli işletme sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, inverter devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 223W maksimum güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
56 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
36 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
223 W
Reverse Recovery Time (trr)
103 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
660µJ (on), 810µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/104ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V