Görsel mevcut değil
RGS50TSX2GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
RGS50TSX2GC11 Hakkında
RGS50TSX2GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/50A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10µs kısa devre toleransı ile tasarlanmıştır. 67 nC gate charge ve 2.1V Vce(on) değerleriyle düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Maksimum 395W güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Switching energy değerleri sırasıyla 1.4mJ (on) ve 1.65mJ (off) olup, 37ns on-delay ve 140ns off-delay karakteristikleri hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Endüstriyel sürücü, güç dönüştürücü ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
67 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/140ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V