Görsel mevcut değil
RGS50TSX2DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGS50TSX2DHRC11 Hakkında
RGS50TSX2DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V 25A rated Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. 50A maksimum collector akımı ve 75A pulsed akım kapasitesi ile AC/DC konverterler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel güç elektroniği sistemlerinde yer almaktadır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük açılış kaybına sahip olan bileşen, 182ns reverse recovery time ve 1.4mJ/1.65mJ switching energy özellikleri ile hızlı komütasyon gerçekleştirir. -40°C ile +175°C arasında çalışan bu IGBT, 67nC gate charge değeri sayesinde sürücü devreleriyle kolay uyumluluğu sağlamaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
67 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Reverse Recovery Time (trr)
182 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/140ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V