Görsel mevcut değil
RGS50TSX2DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
RGS50TSX2DGC11 Hakkında
RGS50TSX2DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 50A sürekli kollektör akımı (Icm: 75A pulse) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10µs kısa devre toleransı ve 395W maksimum gücü ile endüstriyel sürücü, invertör, kaynak cihazları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 2.1V on-state voltajı ve düşük geçiş enerjileri (1.4mJ on, 1.65mJ off) ile verim odaklı tasarımlara uygundur. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabilitesi ve TO-247-3 paketlemesi yüksek akım uygulamalarında soğutma kolaylığı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
67 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Reverse Recovery Time (trr)
182 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/140ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V