Görsel mevcut değil
RGS30TSX2DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
RGS30TSX2DHRC11 Hakkında
RGS30TSX2DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistördür. 30A sürekli kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10μs kısa devre toleransı ve 157ns geri kazanım süresi ile yüksek hız anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalar, motor sürücüleri, konvertörler ve UPS sistemlerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile +175°C arasında çalışır ve 267W maksimum güç kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
41 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
267 W
Reverse Recovery Time (trr)
157 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
740µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/70ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V