Görsel mevcut değil
RGS30TSX2DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
- Ürün Ailesi
- RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGS30TSX2DGC11, 30A kolektör akımına sahip Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 1200V yüksek voltaj derecelendirilmesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 10µs kısa devre toleransı özellikleri ile endüstriyel sürücü devreleri, kaynakçı sistemleri ve solar inverterler gibi uygulamalarda yer alır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
41 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
267 W
Reverse Recovery Time (trr)
157 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
740µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/70ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
