Görsel mevcut değil
RGS00TS65DHRC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI
RGS00TS65DHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor RGS00TS65DHRC11, 650V maksimum Vce(sat) ile çalışan Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 88A sürekli kolektor akımı ve 150A darbe akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 58nC gate charge ve 36ns/115ns açılış/kapanış gecikme süreleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. 2.1V @ 15V, 50A test koşullarında düşük doyum gerilimi sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol ve UPS sistemlerinde tercih edilir. 326W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile yüksek yoğunluklu anahtarlama devreleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
88 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
58 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
326 W
Reverse Recovery Time (trr)
103 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
36ns/115ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V