Görsel mevcut değil
RGPR30NS40HRTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 400V 30A IGNITION IGBT
RGPR30NS40HRTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGPR30NS40HRTL, 400V voltaj ve 30A akım kapasitesine sahip tekil IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve akım uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. Collector-Emitter arasındaki açık durumda voltaj düşümü 2.0V (@5V, 10A) olup, maksimum güç tüketimi 125W'dir. Açılma/kapanma zamanları sırasıyla 500ns ve 4µs ile hızlı komütasyon sağlamaktadır. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığına uygun olması nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilmektedir. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
500ns/4µs
Test Condition
300V, 8A, 100Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.0V @ 5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V