Görsel mevcut değil
RGPR30BM40HRTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 400V 30A IGNITION IGBT
RGPR30BM40HRTL Hakkında
RGPR30BM40HRTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 400V 30A kapasiteli Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) entegre devredir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj kontrolü gerektiren elektrik motorları, değişen akım kaynakları (inverter) ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile 2.0V tipik Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, hızlı anahtarlama performansı (500ns açılış, 4µs kapanış) sağlar. Part Status 'Not For New Designs' olarak belirlenmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-252
Td (on/off) @ 25°C
500ns/4µs
Test Condition
300V, 8A, 100Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.0V @ 5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V