Görsel mevcut değil
RGPR20NS43HRTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 430V 20A IGNITION IGBT
RGPR20NS43HRTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGPR20NS43HRTL, 430V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 20A maksimum kolektör akımı ile çalışan IGNITION IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 14 nC gate charge ve 2.0V Vce(on) değerleriyle düşük iletim kayıpları sağlar. Hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip (500ns açılış, 4µs kapanış) bu IGBT, motör kontrol, ateşleme sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olup maksimum 107W gücü işleyebilir. Not For New Designs statüsünde olduğundan, yeni tasarımlarda kullanımı önerilmez.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
14 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
107 W
Supplier Device Package
LPDS
Td (on/off) @ 25°C
500ns/4µs
Test Condition
300V, 8A, 100Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.0V @ 5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
460 V