Görsel mevcut değil
RGCL80TS60GC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 40A, TO-
RGCL80TS60GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor RGCL80TS60GC13, 600V 40A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, düşük VCE(sat) özelliği ile tasarlanmıştır. Maksimum 65A sürekli akım ve 160A darbe akımı yeteneğine sahiptir. Gate charge değeri 98nC olup, anahtarlama enerji değerleri açma için 1.11mJ, kapama için 1.68mJ'dir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 148W maksimum güç yeteneği ile kompakt ve verimli tasarımlar sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
98 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
148 W
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/227ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V