Görsel mevcut değil
RGCL80TS60DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 40A, FRD
RGCL80TS60DGC13 Hakkında
RGCL80TS60DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V 40A rated IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu bileşen, düşük VCE(sat) değeri (1.8V @ 40A) ile enerji verimli uygulamalar için tasarlanmıştır. Maksimum 65A sürekli akım ve 160A pulse akım kapasitesine sahiptir. İleri kurtarma diyotu (FRD) entegre edilerek, hızlı anahtarlama ve düşük ters kurtarma zamanı (58ns) sağlar. TO-247-3 paket ile Through Hole montajına uyumludur. -40°C ile 175°C arasında çalışmaya dayanıklı olan bu IGBT, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, inverterler ve güç kaynakları gibi yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 148W maksimum güç disipasyonu ve 98nC gate charge özelliği ile kontrol devresi tasarımında esneklik sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
98 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
148 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/227ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V