Görsel mevcut değil
RGCL80TS60DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT
RGCL80TS60DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGCL80TS60DGC11, Trench Field Stop yapısına sahip 600V/65A IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8V Vce(on) değeri ve 98nC gate charge ile düşük kayıp özellikleri sunar. 58ns reverse recovery time ve 1.11mJ on-switching enerji değerleri ile verimli çalışma sağlar. Endüstriyel motor kontrol sürücüleri, UPS sistemleri, şarj cihazları ve DC-DC konverterler gibi güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, 148W maksimum güç kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
98 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
148 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/227ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V