Görsel mevcut değil
RGCL80TK60GC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGCL80TK60GC11 Hakkında
RGCL80TK60GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum collector akımı 35A, darbe akımı 160A olan bu komponent, güç dönüştürme ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-3PFM paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışır. Vce(on) değeri 1.8V (15V gate voltajında, 40A akımda) olup, maksimum 57W güç yönetebilir. Gate charge 98nC, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 53ns/227ns'dir. Switching energy değerleri 1.11mJ (açılış) ve 1.68mJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Yüksek integrasyon yoğunluğu ve hızlı anahtarlama özelliğine sahip bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
98 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
57 W
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
53ns/227ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V