Görsel mevcut değil
RGCL60TS60DGC13
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 30A, FRD
RGCL60TS60DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGCL60TS60DGC13, 600V çalışma voltajında ve 30A nominal akımında tasarlanmış bir Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Low VCE(SAT) karakteristiği ile enerji kaybını azaltır. Fast Recovery Diode (FRD) içeren bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, inverter ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 48A maximum kolektör akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalara uygundur. TO-247-3 paketinde gelen komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 111W güç tüketiminde tasarlanmıştır. 68nC gate charge ve 44/186ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
111 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-247G
Switching Energy
770µJ (on), 1.11mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/186ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V