Görsel mevcut değil
RGCL60TK60DGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT
RGCL60TK60DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGCL60TK60DGC11, 600V Trench Field Stop IGBT transistördür. 30A collector akımı ve 120A pulsed collector akımı kapasitesine sahiptir. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 54W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. 68nC gate charge ve 44ns/186ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 1.8V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı özellikleri, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında verimli çalışmasını sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
54 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
TO-3PFM
Switching Energy
770µJ (on), 1.11mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/186ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V