Görsel mevcut değil
RGC80TSX8RGC11
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT
RGC80TSX8RGC11 Hakkında
RGC80TSX8RGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 80A maksimum kolektör akımı ve 1800V korumalı gerilime sahip Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 535W maksimum güç kapasitesi, 468nC gate charge değeri ve düşük switching energy karakteristiği ile güç elektronik devrelerinde yer alır. Motor kontrol, welding, UPS ve endüstriyel güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve aktif üretim statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
468 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
535 W
Supplier Device Package
TO-247N
Switching Energy
1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
80ns/565ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
5V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1800 V