Görsel mevcut değil
GPA060A060MN-FD
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 120A 347W TO3PN
GPA060A060MN-FD Hakkında
GPA060A060MN-FD, SemiQ tarafından üretilen 600V 120A güç IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan transistör, maksimum 347W güç işleme kapasitesine ve 150ns kapalı kapanma süresine sahiptir. 2.3V Vce(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Operating Temperature aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. İnverterler, motor sürücüleri, SMPS devreleri ve endüstriyel güç kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Standard giriş tipi ve Through Hole montajı ile tasarlanmıştır. Parça artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
225 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
347 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
2.66mJ (on), 1.53mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
45ns/150ns
Test Condition
400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V