Görsel mevcut değil
GPA030A135MN-FDR
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
GPA030A135MN-FDR Hakkında
GPA030A135MN-FDR, SemiQ tarafından üretilen 1350V Trench Field Stop IGBT transistördür. 60A collector akımı ve 329W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmış olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürme, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde yer alır. 300nC gate charge ve 4.4mJ açılış / 1.18mJ kapanış switching enerjisi ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) 2.4V (15V, 30A şartlarında), pulsed collector akımı 90A olup, 450ns reverse recovery time'a sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
300 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
329 W
Reverse Recovery Time (trr)
450 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/145ns
Test Condition
600V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V