Görsel mevcut değil
GPA020A120MN-FD
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
GPA020A120MN-FD Hakkında
GPA020A120MN-FD, SemiQ tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A sürekli akım ve 60A pulse kapasitesiyle tasarlanmış olup, maksimum 223W güç dağıtabilir. TO-3P-3 (SC-65-3) kapsülde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V Vce(on) değeri ile iletim kaybı düşüktür. 30ns açılış ve 150ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 210nC gate charge değeri sürücü devre tasarımında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Cihaz şu anda üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
210 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
223 W
Reverse Recovery Time (trr)
425 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/150ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V