Görsel mevcut değil
GPA020A135MN-FD
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
GPA020A135MN-FD Hakkında
GPA020A135MN-FD, SemiQ tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 1350V collector-emitter breakdown voltajı ve 40A maksimum collector akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) pakette sunulan bu bileşen, 223W maksimum güç yönetebilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 2.3V on-state voltajı (15V gate, 20A collector akımında) ve 180nC gate charge değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Ön kenar zamanlama 25ns, arka kenar zamanlama 175ns olup, ters kurtarma süresi 425ns'dir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
180 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
223 W
Reverse Recovery Time (trr)
425 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
2.5mJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/175ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V