Görsel mevcut değil
GPA025A120MN-ND
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
GPA025A120MN-ND Hakkında
SemiQ GPA025A120MN-ND, 1200V kollektör-emitter gerilim ile çalışan NPT ve Trench tipi IGBT transistörüdür. Maksimum 50A sürekli akım (pulsed olarak 75A) kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350nC gate charge ve 480ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sergiler. Maksimum 312W güç dağıtımı kapabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel motor kontrol, UPS sistemleri, güç kaynakları ve trafolar gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün Obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
350 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
312 W
Reverse Recovery Time (trr)
480 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
57ns/240ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V