Görsel mevcut değil
GPA015A120MN-ND
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
GPA015A120MN-ND Hakkında
SemiQ GPA015A120MN-ND, 1200V çalışma voltajında maksimum 30A collector akımı kapasitesine sahip NPT ve Trench teknolojisini birleştiren yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 212W güç disipasyonu ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25ns açılış ve 166ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, elektrik motor kontrolü, güç kaynakları, kaynak makineleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlayan bileşen, 210nC gate charge ile sürücü devresi taleplerini minimize eder.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
210 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
212 W
Reverse Recovery Time (trr)
320 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/166ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V