Görsel mevcut değil
GPA040A120L-FD
- Üretici
- SemiQ
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 80A 480W TO264
GPA040A120L-FD Hakkında
GPA040A120L-FD, SemiQ tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen 1200V kollektör-emiter gerilimi ve 80A sabit akım (120A darbe akımı) özelliğine sahiptir. Maksimum 480W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, dc-dc dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve motor sürücü tasarımlarında kullanılır. 480nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunarken, 55ns açılış ve 200ns kapanış zamanları ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
480 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
480 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-264
Switching Energy
5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
55ns/200ns
Test Condition
600V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V