Görsel mevcut değil
MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G Hakkında
MMBT5551M3T5G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 160V'e kadar Vce breakdown voltajı ve 60mA maksimum kolektör akımı ile karakterizedir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V'de minimum 80 değerine sahiptir. 265mW maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, sinyal anahtarlama uygulamaları, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışarak geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
265 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V