Görsel mevcut değil
MMBT5551_R1_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SOT-23, TRANSISTOR
MMBT5551_R1_00001 Hakkında
MMBT5551, PANJIT tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 600 mA maksimum collector akımı ve 250 mW güç kapasitesiyle genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300 MHz transition frekansı ile orta hızlı işlem gerektiren devrelerde başarıyla çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 160 V maksimum Vce breakdown voltajı sayesinde yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, kontrol devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V