Görsel mevcut değil
MMBT5551-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
MMBT5551-7-F Hakkında
MMBT5551-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta seviye güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile küçük sinyal işleme ve anahtarlama devreleri için uygundur. DC akım kazancı (hFE) 10mA/5V'te minimum 80 değerine sahiptir. 300mW maksimum güç harcaması ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve geniş sıcaklık uygulamalarında tercih edilir. Genel amaçlı amplifikasyon, darbe devreleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V