Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
MMBT5551
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- SWITCHING
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı NPN silikon bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. 600mA maksimum kolektör akımı, 160V gerilim dayanıklılığı ve 100MHz geçiş frekansı ile 80-600mA akım aralığında stabil DC kazancı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunarak, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama düzenlekeleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir. 350mW güç dağıtım kapasitesi ile kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine olanak tanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V