Görsel mevcut değil
MMBT5551LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
MMBT5551LT1G Hakkında
MMBT5551LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu komponent, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 225mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10mA collector akımında 80 minimum değerine ulaşır. Vce doyum gerilimi 50mA akımda 200mV'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri, driver devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisi ile tasarlanmış olup yüksek hacimli üretim için uygundur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V