Görsel mevcut değil
MMBT5551LT3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
MMBT5551LT3G Hakkında
MMBT5551LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu transistör, 160V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile DC anahtarı olarak, sinyal amplifikatörü olarak veya dijital devre komponentleri arasında sürücü görevi görebilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Düşük kolektör cut-off akımı (100nA) ve belirlenmiş saturasyon voltajı (200mV @ 50mA) ile güç verimliliği sağlayan, endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V