Görsel mevcut değil
MMBT5551HE3-TP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER,SO
MMBT5551HE3-TP Hakkında
MMBT5551HE3-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN tipi genel amaçlı bipolar transistördür. SOT-23 yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600mA maksimum collector akımı, 300MHz transition frequency ve 160V collector-emitter breakdown voltajı ile orta seviye güç uygulamalarına uygundur. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri, düşük seviyeli sinyallerin güvenilir şekilde amplifikasyonunu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük collector-emitter saturation voltajı (200mV) ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V