Görsel mevcut değil
MMBT5551
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 0.6A, 160V, NPN
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. 600mA kolektör akımı ve 160V kırılma voltajı ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında en az 80'dir. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı dijital ve analog devre tasarımlarında yer alabilir. 350mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sinyal işleme, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarına uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda da kullanılabilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, kompakt elektronik tasarımlar için tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V